如今大多數(shù)應(yīng)急防爆手電筒都采用LED光源，而作為L(zhǎng)ED防爆強(qiáng)光手電的核心元器件之一的驅(qū)動(dòng)電源的穩(wěn)定關(guān)乎防汛應(yīng)急防爆手電筒工作時(shí)的穩(wěn)定性。LED驅(qū)動(dòng)電源工作不穩(wěn)定主要是電源受到干擾。下面跟隨TANK007防爆手電筒廠家的腳步來(lái)了解防爆LED手電筒驅(qū)動(dòng)電源受干擾的原因。

        防爆手電LED驅(qū)動(dòng)電源主要受到開(kāi)關(guān)電路電磁干擾、整流電路電磁干擾和變壓器以及電容引起的干擾。

　?、匍_(kāi)關(guān)電路為何會(huì)造成LED驅(qū)動(dòng)電源的電磁干擾

　　開(kāi)關(guān)電路作為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)電源干擾源之一，也是手電筒開(kāi)關(guān)電源的核心（也是手提式LED防爆探照燈與LED佩戴式防爆頭燈的開(kāi)關(guān)核心）。防爆電筒手電筒開(kāi)關(guān)電路干擾產(chǎn)生的主要原因是：開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通瞬間，初級(jí)線圈產(chǎn)生很大的涌流并出現(xiàn)較高的浪涌尖峰電壓；同樣，在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)瞬間，初級(jí)線圈的漏磁通，導(dǎo)致一部分能量沒(méi)有從一次線圈傳輸?shù)蕉尉€圈，這部分能量和電路中的電容、電阻形成帶有尖峰的衰減振蕩，并疊加在關(guān)斷電壓上由此形成關(guān)斷電壓尖峰。電源電壓中斷會(huì)產(chǎn)生與初級(jí)線圈接通時(shí)一樣的磁化沖擊電流瞬變，這種瞬變是一種傳導(dǎo)型電磁干擾。

　　②整流電路產(chǎn)生電磁干擾的原因

　　整流電路中的硬恢復(fù)特性二極管能將反向電流迅速恢復(fù)到零，在變壓器漏感、硬恢復(fù)特性二極管和其他分布參數(shù)的影響下整流電路產(chǎn)生頻率高達(dá)幾十MHz高頻干擾。而整流二極管正向?qū)〞r(shí)有較大的正向電流流過(guò)，但在受反偏電壓而轉(zhuǎn)向截止時(shí)，有較多的載流子在PN結(jié)中積累，在載流子消失之前這段時(shí)間，電流會(huì)反向流動(dòng)，導(dǎo)致恢復(fù)電流急劇減少引起電流的較大變化。

　?、圩儔浩鲗?dǎo)致電磁干擾

　　變壓器的初級(jí)線圈、開(kāi)關(guān)管和濾波電容是構(gòu)成高頻開(kāi)關(guān)電流環(huán)路的主要因素，這個(gè)電流環(huán)流能夠產(chǎn)生較大輻射干擾。當(dāng)電容濾波容量不夠或高頻特性較差時(shí)，高頻阻抗會(huì)使高頻電流以差模方式傳導(dǎo)到交流電源中造成干擾，但這在使用直流LED驅(qū)動(dòng)電源的防爆探照燈具中并不會(huì)發(fā)生。

　?、芊植际诫娙轂楹螘?huì)引起的LED驅(qū)動(dòng)電源干擾

　　我們知道防爆LED手電筒散熱片與開(kāi)關(guān)管集電極間的絕緣片接觸面積較大，由于絕緣片非常薄，當(dāng)高頻電流通過(guò)分布電容流到散熱片上，會(huì)產(chǎn)生共模干擾；其次設(shè)置在初次級(jí)脈沖變壓器之間的分布電容，可將原邊電壓直接耦合到副邊上，在副邊兩條電源線上產(chǎn)生共模干擾。

　?、蓦s散參數(shù)帶來(lái)的干擾

　   開(kāi)關(guān)電源中元器件如電阻、電容、電感乃至開(kāi)關(guān)管、二極管都包含有雜散參數(shù)，在干擾頻段（<30MHz），包括各元器件雜散參數(shù)和元器件間的耦合在內(nèi)的開(kāi)關(guān)電源的等效電路在高頻時(shí)，雜散參數(shù)對(duì)耦合通道的特性影響很大，特別是分布電容的存在成為電磁干擾的通道。